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徐州功率半导体器件的进步:高效率功率变换的根本

作者:山东光大变压器制造有限公司 73 次浏览 时间:2020-08-05

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功率半导体器件的进步特别是PowerMOSFET的进步引发出功率变换的一系列的进步:PowerMOSFET的极快的徐州徐州徐州徐州干式变压器速度,使徐州徐州徐州干式变压器的徐州徐州干式变压器频率从双极晶体管的20kHz提高到100kHz以上,有效地减小了无源储能元件(电感、电容)的体积。低压PowerMOSFET使低压同步整流成为现实,器件的导通电压从肖特基二极管的0.5V左右,降低到同步整流器的0.1V甚至更低,使低压整流器的效率至少提高了10%。PowerMOSFET的导通压降和徐州干式变压器特性的改善,提高了徐州干式变压器的初级效率。功率半导体器件的功耗的降低也使散热器和整机的体积减小。

徐州干式变压器界有一个不成文的观点:不稳压的比稳压的效率高、不的比的效率高、窄范围输入电压的比宽范围输入的效率高。Vicor的48V输入徐州干式变压器模块的效率达到97%。交流输入徐州干式变压器需要功率因数校正,由于功率因数校正已具有稳压功能,在对输出纹波要求不高的应用(如输出接有蓄电池或超级电容器),可以采用功率因数校正加不调节的变换器电路拓扑,国外在1986年已有产品,效率到达93%以上。

在DC48V输入电压的徐州干式变压器模块中,效率在93%以上的模块几乎无一例外地采用前级稳压、后级不调节的方案,并且将级的输出电容和第二级的输出电感取消,简化了电路结构。

国内的很多徐州干式变压器在设计上对结构设计的关注相对不够,有时会出现徐州干式变压器内的各部分温升不均,有的地方过热,有的地方几乎没有温升,甚至PCB上�绰��0635-8378889产生较大的损耗。一个好的徐州干式变压器应该是产生热的元件均匀分布在PCB上,而且发热元件的温升基本一致,PCB应有尽可能小的损耗,这在模块徐州干式变压器和塑料外壳的Adapter的设计中尤为重要。

效率提高的同时:徐州干式变压器的电磁干扰得到减小

在徐州干式变压器的各种损耗中,电磁干扰所产生的损耗,在徐州干式变压器效率高到一定水平后将不容忽视。一方面电磁干扰本身消耗能量������˾��ͨ��ISO9001��2008������׼��ϵ��֤�͵�������PCCC��֤������ö����ѹ��ר������˾ӵ�е������豸�͹���ˮ׼���ִ����ۺ��Գ������߱����ڵļ���豸���Ƚ��Ķ๦�����ػ������๦���������������ս����豸��ú����������豸���ݺ����ˮ�ߵȾ��й��ʹ������ȵ������豸����˾��Ҫ��Ʒ��220kV��ѹ�ȼ������µ�̨����240000kVA�������ͽ�ʽ������ѹ����35kV���¸�ʽ��ѹ����20(10)kV˫��ѹ�ȼ��ͽ�ʽ����ʽ��ѹ�����Ƽ���ĿSBH15�Ǿ��Ͻ��ѹ����35kV�����µ���䡢�ߵ�ѹ���ع��Լ���������ʽ�ͽ���ѹ���ȸ���ȫϵ�е�����ѹ������Ӳ�IJ�Ʒ���������õ��ۺ�����Ϊ��˾��Ʒ���������㣬��Ʒ�ֹ㷺Ӧ����ȫ��31��ʡ���ĵ������輰����Ͽ���̡��������綫�͡������������䡱������������·���������˻Ṥ�̡��ȹ��̺ͱ�־�Թ��̣����ڵ������еĸ��๤����ҵ��,特别是徐州干式变压器效率的提高往往需要软徐州干式变压器技术或零电压徐州干式变压器或零电流徐州干式变压器技术(无论是专门设置还是电路本身固有),应用这些技术减缓了徐州干式变压器过程的电压、电流的变化速率或消除了徐州干式变压器过程,电磁干扰变得很小,不需要像常规徐州干式变压器电路中需要专门设置抑制电磁干扰的电路(这个电路是存在损耗的)。

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